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摘要:如图所示为由74HCT221构成的占空比可变的单稳态多谐振荡器。电容C以相同的速率充、放电,占空比为50%,振荡周期T=RC。图(a)的R可由图来代替,以得到其它所需的占空比,此时Cl通过Rl充电并由R2放电,振荡周期T=(R1 R2)C/2,占空比近似为Rl/(R1 R2)。图9―11中VDl、VD2、VD3为1N4148。
如图所示为由74HCT221构成的占空比可变的单稳态多谐振荡器。电容C以相同的速率充、放电,占空比为50%,振荡周期T=RC。图(a)的R可由图来代替,以得到其它所需的占空比,此时Cl通过Rl充电并由R2放电,振荡周期T=(R1 R2)C/2,占空比近似为Rl/(R1 R2)。图9―11中VDl、VD2、VD3为1N4148。
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| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |