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由74HCT221构成的占空比可变的单稳态多谐振荡器

2013/12/6 17:35:32;
来源: 作者:华仔 浏览:783

标签:

摘要:如图所示为由74HCT221构成的占空比可变的单稳态多谐振荡器。电容C以相同的速率充、放电,占空比为50%,振荡周期T=RC。图(a)的R可由图来代替,以得到其它所需的占空比,此时Cl通过Rl充电并由R2放电,振荡周期T=(R1 R2)C/2,占空比近似为Rl/(R1 R2)。图9―11中VDl、VD2、VD3为1N4148。

如图所示为由74HCT221构成的占空比可变的单稳态多谐振荡器。电容C以相同的速率充、放电,占空比为50%,振荡周期T=RC。图(a)的R可由图来代替,以得到其它所需的占空比,此时Cl通过Rl充电并由R2放电,振荡周期T=(R1 R2)C/2,占空比近似为Rl/(R1 R2)。图9―11中VDl、VD2、VD3为1N4148。
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
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