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摘要:由于本电路的主要部分已实现Ic!化,散装元件主要是大量的电容器。 内部电路如图^所示,输出级由甲t_‘、Tr.组成电流密勒电路,它把PNP差动放大输出转换成单极,并获得高的增益。中间级的振幅大,而且转换速度也由该级决定,应尽量使其在大电流下工作,井使T,.‘基极接地(和Tr,组成tllt地一阴地放大器),以解决由于密勒效应造成的高频特性恶化。 rr.,Tr_为恒蒲置偏电路,
由于本电路的主要部分已实现Ic!化,散装元件主要是大量的电容器。 内部电路如图^所示,输出级由甲t_‘、Tr.组成电流密勒电路,它把PNP差动放大输出转换成单极,并获得高的增益。中间级的振幅大,而且转换速度也由该级决定,应尽量使其在大电流下工作,井使T,.‘基极接地(和Tr,组成tllt地一阴地放大器),以解决由于密勒效应造成的高频特性恶化。 rr.,Tr_为恒蒲置偏电路,可以抑制电源变动产生的影响。Tr,用于输出晶体管的置偏,目的是捎除基极一盘射极之间的电压VBl静区i同时还起到温度补偿的作用。 为了输出大电流,输出级进行达林顿连接,以提高电麓放大倍数。
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| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |