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摘要: 在高频电路中,信号分配上使用如图6.13所示的混合电路。所谓混合电路是实现特定点间决定的耦合,而其他的点都被绝缘。这里,对A、B、C的3点间,C→A及C→B信号通过,A→B及B→A间会得到大的隔离的混合电路进行实验。 图1 使用于高频信号分配的混合电路 此电路简单地说,A和B之间相互不干涉,和点C构成耦合的电路。在混合电路中使用的线圈是双绕线。这里使用FT-82-43(25T×2)进行实验
在高频电路中,信号分配上使用如图6.13所示的混合电路。所谓混合电路是实现特定点间决定的耦合,而其他的点都被绝缘。这里,对A、B、C的3点间,C→A及C→B信号通过,A→B及B→A间会得到大的隔离的混合电路进行实验。

图1 使用于高频信号分配的混合电路
此电路简单地说,A和B之间相互不干涉,和点C构成耦合的电路。在混合电路中使用的线圈是双绕线。这里使用FT-82-43(25T×2)进行实验,如果周边的阻抗设定不正确,就不能得到大的隔离。
照片1是C→A和A→B的传输频率特性。中间的曲线是点C的阻抗为50Ω时,得到约16dB的隔离。

照片1 制作的混合电路的隔离特性(L=49OμtH,F=lOOk~lOMHz,10dB/div.)A→B(50Ω)在f=851kHz处可得到最大的隔离。
线圈的电感L为490μH,如果要把隔离的最佳点的频率向高移动则需将L值变小。
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| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |