世界上出现的第一只半导体激光器是电流注入式GaGs同质结激光器，其阈值电流密度很高，不能在室温下连续工作。为了提高半导体激光器的性能，设法在GaAs的一侧生长异种材料（例如GaAlAs）面形成异质结。如果半导体激光器只有一个异质结，则叫单异质结激光器。如果有两个异质结，就叫双异质结激光器。
　　有了双异质结激光器，便实现了激光器在室温下的连续运转。在双异质结结构的基础上，又研制出大光腔激光器（LOC）。这样，半导体激光器的性能得到了很大的改善，可以满足不断增长的某些需要。将若干单异质结激光器串联或并联而形成阵列，能大大提高激光输出功率。
　　典型半导体激光器的特性，列于表5-1。

　　表中所列参数，仅供参考。因为半导体激光器技术发展很快，新型器件不断出现，例如可见光半导体激光器已商品化。
　　从半导体激光器工作机理上看，它的量子跃迁发生在能带之间面不是分立的能级之间，因面单色性差些；又由于其谐振腔的反射镜小，光束的发射角也较大。
　　半导体激光器的伏安特性，与普通二极管相类似。正向偏置时，近似于线性的部分是工作区，这一区内的动态电阻很小，约0.3Ω以下。
　　值半导体激光器产生激光所需的最小电流叫阈值电流。显然，正常工作时泵浦电值应高于阈值电流。半导体激光器输出光功率与泵浦电流的关系，也不是线性的。只是其中的一段近于线性，可以看出是输出光功率与泵浦电流成正比。这种近似在某些应用中具有实际价值，因为用信号电流可直接调制光输出。