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摘要:单闸极MOS FET 前置放大器(1)VHF高频放大电路以往都是以双极电晶体(Bipolar Transistor)为主流,但是现在大都以FET取代之。图2-1便是其代表性电路,2SK241(东芝)系VHF用的FET,功率增益可达28dB(@100MHz),是最适於VHF接收器的高频放大级使用的。由於闸极的动作点是零偏压(Zero Bias),所以电路的结构相当简单,电路的全部元件共有六个,配合表
单闸极MOS FET 前置放大器(1)VHF高频放大电路以往都是以双极电晶体(Bipolar Transistor)为主流,但是现在大都以FET取代之。图2-1便是其代表性电路,2SK241(东芝)系VHF用的FET,功率增益可达28dB(@100MHz),是最适於VHF接收器的高频放大级使用的。由於闸极的动作点是零偏压(Zero Bias),所以电路的结构相当简单,电路的全部元件共有六个,配合表2-1所示之电感及电容就能适用於各种频率的高频放大电路。泄极电流为9mA,在电源电压为6~12V之范围内,泄极电流都保持一定。
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型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |