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MOSFET高频放大

来源: 作者:华仔 浏览:495

标签:

摘要:单闸极MOS FET 前置放大器(1)VHF高频放大电路以往都是以双极电晶体(Bipolar Transistor)为主流,但是现在大都以FET取代之。图2-1便是其代表性电路,2SK241(东芝)系VHF用的FET,功率增益可达28dB(@100MHz),是最适於VHF接收器的高频放大级使用的。由於闸极的动作点是零偏压(Zero Bias),所以电路的结构相当简单,电路的全部元件共有六个,配合表

单闸极MOS FET 前置放大器(1)VHF高频放大电路以往都是以双极电晶体(Bipolar Transistor)为主流,但是现在大都以FET取代之。图2-1便是其代表性电路,2SK241(东芝)系VHF用的FET,功率增益可达28dB(@100MHz),是最适於VHF接收器的高频放大级使用的。由於闸极的动作点是零偏压(Zero Bias),所以电路的结构相当简单,电路的全部元件共有六个,配合表2-1所示之电感及电容就能适用於各种频率的高频放大电路。泄极电流为9mA,在电源电压为6~12V之范围内,泄极电流都保持一定。

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
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