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摘要:该电路采用50个BUZ23场效应晶体管并联,管的阻断电压为100V.所需的控制功率极小,并且不会有二次击穿和导通区段正温度系数等现象产生。由于整个电路电流很大,故其中门极电阻、元件采用50个并联的连接方式。为了把负载回路导线电感中储存的能量放掉,在漏-源极间接入由20个RC元件并联的吸收回路。
该电路采用50个BUZ23场效应晶体管并联,管的阻断电压为100V.所需的控制功率极小,并且不会有二次击穿和导通区段正温度系数等现象产生。由于整个电路电流很大,故其中门极电阻、元件采用50个并联的连接方式。
为了把负载回路导线电感中储存的能量放掉,在漏-源极间接入由20个RC元件并联的吸收回路。

| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |