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功率开关控制

来源: 作者:华仔 浏览:160

标签:

摘要:该电路采用50个BUZ23场效应晶体管并联,管的阻断电压为100V.所需的控制功率极小,并且不会有二次击穿和导通区段正温度系数等现象产生。由于整个电路电流很大,故其中门极电阻、元件采用50个并联的连接方式。为了把负载回路导线电感中储存的能量放掉,在漏-源极间接入由20个RC元件并联的吸收回路。

该电路采用50个BUZ23场效应晶体管并联,管的阻断电压为100V.所需的控制功率极小,并且不会有二次击穿和导通区段正温度系数等现象产生。由于整个电路电流很大,故其中门极电阻、元件采用50个并联的连接方式。

为了把负载回路导线电感中储存的能量放掉,在漏-源极间接入由20个RC元件并联的吸收回路。

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
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