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摘要:如图所示为方波倍频电路。该电路中,门G1为倒相器。输入信号经G1倒相后加到G2的输入端。当C1两端电压达到G2的阈值电压时,G2的输出变为逻辑“0”,这时C2通过G2迅速放电。当输入信号回到逻辑“1”时,C1通过G1迅速放电,而C2又开始通过R2充电。当C2两端电压达到G3的阈值电压时,G3的输出变为逻辑“0”。与非门G5、G6、G7和G8构成异或门。异或门的两输入端一个为“1”,另一个为“0&r

如图所示为方波倍频电路。该电路中,门G1为倒相器。输入信号经G1倒相后加到G2的输入端。当C1两端电压达到G2的阈值电压时,G2的输出变为逻辑“0”,这时C2通过G2迅速放电。
当输入信号回到逻辑“1”时,C1通过G1迅速放电,而C2又开始通过R2充电。当C2两端电压达到G3的阈值电压时,G3的输出变为逻辑“0”。
与非门G5、G6、G7和G8构成异或门。异或门的两输入端一个为“1”,另一个为“0”时,其输出为“1”;如果两个输入端逻辑状态相同。则输出为“0”。
由于SN15844N的输出级晶体管的集电极是开路的,所以G1~G4的输出端和电源之间需加电阻,才能构成C1和C2的充电回路。选择R1和R2时,必须使其阻值低于下一级输入阻抗。
如果输入波形不太对称,可以微调R1和R2的阻值。
可以根据需要,按上述电路构成方式加接同类电路进行多次倍频,直到某一个极限。该极限由G1~G4的传输延迟时间确定。
采用这种移相的方式,输出脉冲宽度随输入信号频率的变化而变化。在较宽的范围内,阈值电压可以使延迟时间变化25%或更多。
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| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |