VORAGO Technologies是一家私人控股的无晶圆厂半导体公司，成立于2004年，总部位于德克萨斯州奥斯汀。VORAGO是Hi-rel市场辐射强化和极端温度硬化IC组件的供应商。VORAGO设计和开发使用其专利HARDSIL高密度SRAM和MCU的®技术以同时提供优异的辐射和温度耐力性能。VORAGO还提供定制ASIC设计服务。

VORAGO的专利，创新技术，HARDSIL ®，已在多个CMOS工艺世代被证明在多个无晶圆厂重新设计硬化集成电路和可扩展到任何一代节点。一旦通过HARDSIL改性®，商业过程流可用于制造显著更健壮的CMOS电路，用于在极端环境中高度可靠的操作。这种功能大大增强了高密度集成电路的硬度和可靠性，并且为当前使用屏蔽COTS，冗余系统或外来包装的高可靠性方法提供了一种颠覆性替代方案。

将他们的专利HARDSIL ®技术融入自己的设计和几个德州仪器的产品跨越多个代工艺，VORAGO已经成功地展示了大量的设备，包括高密度SRAM和DSP的优越硬化。由于该技术应用于CMOS工艺级别，因此不需要性能，功耗或电路尺寸的折衷。因此，系统设计人员现在可以在极端环境下使用硬化的IC组件; 在降低外形尺寸的同时使用性能最高的解决方案，同时使用更少的功率。

与德州仪器合作，VORAGO Technologies于2012年推出了首款产品QML-V，符合空间限制的抗辐射硬16Mb SRAM。该产品是唯一的抗辐射SRAM，可提供卓越的辐射强化功能，而且性能不受影响。

现在还与GLOBALFOUNDRIES合作，VORAGO正在开发结合HARDSIL新产品®用于极端环境电子应用提供了一个不断扩大的产品组合。

市场和应用：

国际空间站

NINE HARDSIL© based die位于STP-H5上（空间测试计划 - 休斯顿5号）位于国际空间站上的集会，以测量质子和宇宙射线的影响。该系统由Cosmiac与NASA Johnson和AFRL（空军研究实验室）共同创建，由VORAGO Technologies PA32KAS MCU，一堆四个18Mb VORAGO Technologies SRAM和四个德州仪器16Mb SRAM使用HARDSIL©技术处理的设备。

卫星

VORAGO HARDSIL ®技术在另外两个即将到来的任务的心脏，STPSat-5和STPSat-6，国防部太空试验计划（STP）系两部分。

STPSat-5计划在2017年末进行，并将在太阳同步轨道上进行。技术/科学有效载荷将进一步加深我们对这个空间环境的理解。STPSat-5号航天器的建造和整合工作正在Sierra Nevada公司进行，运载火箭将为Falcon-9 v1.2。该卫星基于SNC的SN-50微型架构。

STPSat-6计划于2019年底后期进入地球同步轨道。基于Orbital ATK A500的卫星上将包含若干科学有效载荷 巴士，旨在设计2 - 7年的寿命。

结合 AFRL （空军研究实验室）和德州仪器，VORAGO技术实现HARDSIL ®技术，以辐射的空间应用硬化高密度的SRAM。VORAGO通过结合HARDSIL©工艺改进和版图设计创新解决了主要的空间辐射问题，单事件效应（SEE），总电离剂量（TID）和剂量率。这些设备用于STP任务。