电子产业
数字化服务平台

扫码下载
手机洽洽

  • 微信小程序

    让找料更便捷

  • 扫码下载手机洽洽

    随时找料

    即刻洽谈

    点击下载PC版
  • 公众号

    电子元器件

    采购信息平台

  • 移动端

    生意随身带

    随时随地找货

  • 华强商城公众号

    一站式电子元器件

    采购平台

  • 芯八哥公众号

    半导体行业观察第一站

高阻抗变压器附加损耗增大的原因分析

来源:-- 作者:-- 浏览:784

标签:

摘要: 由于漏磁场的大小及分布规律决定变压器的漏抗,而变压器的漏抗大小又决定了变压器的阻抗。因此,分析高阻抗变压器的附加损耗,应从漏磁场分析入手。漏磁场在绕组中产生涡流损耗,在油箱及结构件中产生杂散损耗,下面重点分析阻抗电压、漏磁场和损耗三者间的关系。   1导线中涡流损耗的计算   为了便于分析涡流损耗,首先讨论在均匀纵向漏磁场中单根导线情况。在导线上截取长度为L,厚度为a,轴向宽度为b(L>&g

  由于漏磁场的大小及分布规律决定变压器的漏抗,而变压器的漏抗大小又决定了变压器的阻抗。因此,分析高阻抗变压器的附加损耗,应从漏磁场分析入手。漏磁场在绕组中产生涡流损耗,在油箱及结构件中产生杂散损耗,下面重点分析阻抗电压、漏磁场和损耗三者间的关系。

  1导线中涡流损耗的计算

  为了便于分析涡流损耗,首先讨论在均匀纵向漏磁场中单根导线情况。在导线上截取长度为L,厚度为a,轴向宽度为b(L>>a,)至少L≥10a)的一段,并假设纵向均匀漏磁通密度为Bx,如图1所示。

  当磁通的频率为f时,在a的中点取一个纵剖面作为x=0位置,则在长L,宽2x的矩形内产生的感应电动势有效值为

  Ex=2√2πfxLBx.

  式中Ex———导体内产生的感应电动势,V;

  f———磁通的频率,Hz;

  L———截取导线的长度,m;

  Bx———漏磁通密度,T。

  因为L≥10a,可不考虑两个2x长度上的电阻。厚度为dx矩框回路沿L方向的电阻为

  式中P———双绕组变压器涡流损耗,W;

  Bm———最大漏磁通密度,T。

  对高阻抗变压器,最大漏磁通密度为

  Bm=1.78×10-4NI/HK,

  式中NI———电流链(安匝),A;

  HK———绕组电抗高度,cm。

  由于UK∝NI/HK较大,因此,涡流损耗较大。这正是高阻抗变压器涡流损耗增大的原因。

  2杂散损耗的计算

  漏磁通穿过钢结构件,路径比较复杂,精确计算有一定的困难。下面设想每柱绕组所产生的漏磁通ΦS在走向上分为两组,穿过绕组后进入油箱壁的一组为Φt,它存在的断面为Sx1+Sx2,长度为HK+2(R1-Rt),导磁率为μ0的空间里,并通过钢板油箱壁构成回路,其等值截面为S01+S02,长度为HK,如图3所示。

  其中Rt———漏磁通Φt的等值半径;

  R0———漏磁通Φ′的等值半径;

  R2———漏磁通ΦS的等值半径,近似取为主间隙的平均半径。

  式中K3=K1K2(St1+1/2St2)/(S01+1/2S02).

  变压器的杂散损耗正比于Φt在箱壁内产生的损耗。根据图3,在箱壁内dx厚度产生的损耗为dPx,lt′为箱壁上的涡流长度,并使lt′=K4lt,其中lt为油箱周长。按武汉变压器厂编写的《变压器设计讲义》的推导,求出一个铁心柱上的绕组

  的Φt产生的损耗为

  其中ΣD为漏磁通等效漏磁断面,

分享到:
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
Baidu
map