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场效应晶体管的主要参数

来源: 作者:华仔 浏览:425

标签:

摘要:;;; (1)饱和漏RS3G(FR304)电流IDSS;;; 当栅源间电压为零时,漏极电流的饱和值称为饱和漏电流。;;; (2)栅源截止电压UGS;;; 使漏电流接近于零时,此时栅极上所加的偏压就称为栅源截止电压,此参数是对耗尽型而言。;;; (3)夹断电压UP;;; 在结型场效应管或耗尽型绝缘栅管中,当栅源间反向偏压足够大;;; 时,沟道两边的耗尽层充分扩展,从而夹断沟道,此时的栅源电压称为夹断

;;; (1)饱和漏RS3G(FR304)电流IDSS
;;; 当栅源间电压为零时,漏极电流的饱和值称为饱和漏电流。
;;; (2)栅源截止电压UGS
;;; 使漏电流接近于零时,此时栅极上所加的偏压就称为栅源截止电压,此参数是对耗尽型而言。
;;; (3)夹断电压UP
;;; 在结型场效应管或耗尽型绝缘栅管中,当栅源间反向偏压足够大
;;; 时,沟道两边的耗尽层充分扩展,从而夹断沟道,此时的栅源电压称为夹断电压。
;; ;(4)开启电压U.,
;;; 在增强型绝缘栅场效应管中,使漏、源极间刚刚导通的最小电压称为开启电压。
;;; (5)跨导g。
;;; 它是漏电流的变化量和引起这个变化量的栅源电压变化量之比,是反映场效应晶体管的放大能力的重要参数。
;;; (6)最大耗散功率PSM
;;; 是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。场效应管实际功率应小于最大耗散功率并留有一定余量。
;;; (7)最大漏源电流ISM
;;; 是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过最大漏源电流。
;;; 场效应晶体管的检测
;;; (1)判别结型场效应晶体管的管脚
;;; 用万用表的R×lk挡,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等,则这两个管脚为漏极和源极,余下的一个管脚即为栅极。
;;; (2)区分N型沟道场效应晶体管和P型沟道场效应晶体管
;;; 用万用表的RXlk挡,将黑表笔接栅极,红表笔分别接另外两管脚,如果测得两个电阻值均很大,则为N型沟道场效应晶体管。如果测得两个电阻值均很小,则为P型沟道场效应晶体管。
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
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