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海力士推新款手持装置用DRAM

来源: 作者:华仔 浏览:292

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摘要:根据富比世(forbes)报导,韩厂海力士(hynix )推出运作时脉达200mhz的利基型手持装置用dram,号称速度较现有一般手机用的dram快上1.5倍,海力士并表示,将推出针对手机平台,结合dram与nand型flash的多晶片封装(mcp)产品。   海力士该款晶片不但速度快,连体积也号称是全球最小的手机用记忆体晶片,大小仅8mm × 10mm,容量为512mb,资料传输频宽为每秒1.6

根据富比世(forbes)报导,韩厂海力士(hynix )推出运作时脉达200mhz的利基型手持装置用dram,号称速度较现有一般手机用的dram快上1.5倍,海力士并表示,将推出针对手机平台,结合dram与nand型flash的多晶片封装(mcp)产品。   海力士该款晶片不但速度快,连体积也号称是全球最小的手机用记忆体晶片,大小仅8mm × 10mm,容量为512mb,资料传输频宽为每秒1.6 gb,运作时脉为200mhz,较海力士现有的手机记忆体晶片产品快上1.5倍,可望提高海力士在手机用记忆体市场的能见度。

  海力士进一步表示,新款晶片尺寸相当小,非常适合迷你、薄型手机的记忆体需求,能够提供给3g手机应用,也提供包括数位媒体广播(dmb)的行动电视等服务,让消费者享受到大容量与高速记忆体搭配的手机所带来的好处。  另外,海力士也宣布,将结合512mb的dram晶片与nand型flash,以mcp方式封装,结合2者优点的产品,能够应用在超薄手机上,让这类手机的功能设计有更多发挥的空间。  目前,3g手机应用较大容量的512mb记忆体产品情况相当多,也让手机记忆体容量增高成为新趋势,包括日厂尔必达(elpida)等记忆体厂,均在2006年陆续加重布局这块领域的力道。

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
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