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偏置电路的设计

来源: 作者:华仔 浏览:732

标签:

摘要:;;; 从图3.6得到当ID=lmA时2SK184GR的VG。在-0.4~-0.1V的范UT6264CPCL-70LL围内。进行设计时取分散量的中间值,即VGS ~-0.25V。;;; 由于源极直流电位Vs取2V,所以栅极的直流电位VG可以按照式(3.3)取为1.75V(=2V+(-0.25V》。;;; 因此当用偏置电路电阻R,、R2对电源和GND分压时,这个电阻的阻值应该依据Vc =1. 75V

;;; 从图3.6得到当ID=lmA时2SK184GR的VG。在-0.4~-0.1V的范UT6264CPCL-70LL围内。进行设计时取分散量的中间值,即VGS ~-0.25V。
;;; 由于源极直流电位Vs取2V,所以栅极的直流电位VG可以按照式(3.3)取为1.75V(=2V+(-0.25V》。
;;; 因此当用偏置电路电阻R,、R2对电源和GND分压时,这个电阻的阻值应该依据Vc =1. 75V来确定。
;;; 这里的栅极电压值与第3章源极接地电路完全相同(设定为同样的值),所以取Ri =150kfl,R2 =20k,Q(详细的计算方法可参看第3章)。
;;;;确定电容Cl~C5的方法
;;; Cl和C是隔断直流电压仅允许交流信号通过的耦合电容。这里取Cl=cz =lOpF。本电路的输入阻抗与FET源极交流接地时等价,也是Rs与R3的并联值Rs∥R3。所以,C,与电路的输入阻抗构成的高通滤波器滤波器的截止频率fcl为:;;;;;;;;;;;;;
;;;
;;; C3和C4是为了降低电源对GND阻抗的去耦电容。这里取G一0.lrlF,C4 =lOluF。
;;; C5是栅极交流接地屯容。这里取Cs =10FLF。
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
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