;;; 为了保护IC芯片，在每一个I/O PAD或VDD PAD处，广泛采用单～的器件2N60或子电路作为在片ESD保护单元。ESD保护的原理是两重性的，即提供一个低阻的泄放通道分流ESD电流，同时将管脚电压钳位在一个安全的电平，以预防介质击穿。图2. 24给出了两种典型的ESD卜V特性，即简单的开启和I-V Snapback。由于I-V Snapback特性具有较高的电流处理能力，所以更具有吸引力。一个成功的ESD保护设计必须适当定义这些边界参数，如触发点（Vtl和Itl），snapback保持点(砜和Ih)和热击穿点(Vt2和It2)等。下面讨论典型的单ESD保护器件的保护原理。;; ;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;