让找料更便捷
电子元器件
采购信息平台
生意随身带
随时随地找货
一站式电子元器件
采购平台
半导体行业观察第一站
标签:
摘要: 图表示了双端口sram写操作的波形,从图形可知,也是同异步sram相同的操作。在该示例中,oe仍然无效,先确定r/w信号后,通过ce信号进行写入操作。图中ce0、ce1虽然同时发生变化,但也可以其中一个信号保持有效,另一个信号有效或者无效都行,可以在无效的时序中进行写人操作。图 双端口sram的写周期 首先让ce有效,然后通过r/w进行写入的方法当然也是可以的,在这种情况下,是在r/w的上升沿进
上一篇:已经是第一篇
下一篇:金属薄膜材料铂pt
| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |