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摘要：该sct2120af是罗姆半导体的一系列的SiC功率器件的新。这是一个N沟道sct2120af SiC功率MOSFET，具有650 V和低120米Ω态电阻的漏极-源极电压。该器件的漏电流功耗为165 W 29额定功率。
+ 175.
特征
低电阻
开关速度快
反向恢复
便于并行
驱动
符合RoHS
应用
太阳能逆变器
/直流转换器
开关模式电源
感应加热
电机驱动器
上一篇：车载功放的高电平输入
| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ￥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ￥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ￥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ￥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ￥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ￥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ￥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ￥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ￥9.67 |