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摘要:一般来讲,寻求更大生活空间的居民会放弃在市区附近生活。尽管住在市区上班方便,并能享受城市服务,但他们更愿意搬到郊区,因为那里房子更大,院子更宽敞。同样,当工程师需要大电流用于负载点(POL)设计时,他们一般会放弃高密度转换器(带集成MOSFET)的便利,取而代之使用一个更复杂的涉及控制器(带外部MOSFET)解决方案。控制器,与郊区环境相类似,具有相对的灵活性和经济性,但会占据更多不动产,更多的电
一般来讲,寻求更大生活空间的居民会放弃在市区附近生活。尽管住在市区上班方便,并能享受城市服务,但他们更愿意搬到郊区,因为那里房子更大,院子更宽敞。同样,当工程师需要大电流用于负载点(POL)设计时,他们一般会放弃高密度转换器(带集成MOSFET)的便利,取而代之使用一个更复杂的涉及控制器(带外部MOSFET)解决方案。控制器,与郊区环境相类似,具有相对的灵活性和经济性,但会占据更多不动产,更多的电路板空间。
直到最近,电流超过10-15A的应用一般会依赖带外部MOSFET的控制器。设计简易,布局简单,物料清单(BOM)中部件更少的转换器解决方案虽然具有高可靠性高密度,但通常只能提供有限的电量。
诸如网络路由器、开关、企业服务器和嵌入式工业系统等应用的耗电量越来越高,它们的POL设计需要20A、30A、40A甚至更多电量。然而,这些应用对空间要求极为严格,很难兼容采用控制器和外部MOSFET的解决方案。问题在于,在一个需要大电流的应用中,您如何使用转换器而非控制器呢?
答案很大程度上在于最近在MOSFET和封装技术方面取得的进展。在一个特定硅面积内,新一代MOSFET(诸如德州仪器的NexFET 电源MOSFET)具有较低的电阻率(Rdson),还可提高电流能力。PowerStack 封装技术可堆叠集成电路和MOSFET,多层叠加,类似于市区建筑,可在特定的空间内放入更多东西。
图1:控制器集成电路和MOSFET垂直堆叠在PowerStack封装中
PowerStack封装中芯片堆叠和封装黏着的独特组合与其它传统并列安放 MOSFET 的解决方案相比,可实现尺寸更小、热力性能更佳、电流能力更强、集成度更高的四方扁平无引线封装解决方案。
随着MOSFET和封装技术的最新发展,德州仪器现在可提供集成FET转换器的产品,用于高功率、高密度POL应用。TPS548D22属于德州仪器高电流同步SWIFT DC/DC 降压转换器系列,可提供高达40A的连续电流,并采用40管脚、5mm 7mm 1.5mm stack-clipped的QFN PowerStack封装。访问DC/DC端口可了解更多德州仪器产品。那些不得不搬到郊区的人现在可考虑搬回市区了!
型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |