让找料更便捷
电子元器件
采购信息平台
生意随身带
随时随地找货
一站式电子元器件
采购平台
半导体行业观察第一站
标签：
摘要：场效应管半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。MOS管符号电子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通，形成导电沟道。结型场效应管)。电容：漏源电容CDS约为0.1～1pF，栅源电容CGS和栅漏极电容CGD约为1～3pF。 在转移特性曲线上，gm是曲线在某点上的斜率，也可由iD的表达式求导得出，单位为S或mS。 (6)最大漏极电流IDM (7)最大漏极耗散功率PDM
场效应管半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
MOS管符号
电子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通，形成导电沟道。
结型场效应管)。
电容：漏源电容CDS约为0.1～1pF，栅源电容CGS和栅漏极电容CGD约为1～3pF。
在转移特性曲线上，gm是曲线在某点上的斜率，也可由iD的表达式求导得出，单位为S或mS。
(6)最大漏极电流IDM
(7)最大漏极耗散功率PDM
(8)漏源击穿电压V(BR)DS栅源击穿电压V(BR)GS
上一篇：单结晶体管特征及触发电路原理图
下一篇：三极管的发明和用途
| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ￥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ￥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ￥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ￥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ￥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ￥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ￥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ￥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ￥9.67 |