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士兰微电子推出内置高压MOS管的原边控制电路新品

来源: 作者:华仔 浏览:454

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摘要:杭州士兰微电子公司近期推出了基于自有知识产权的AC-DC原边控制开关电源电路新品————SDH859XAS系列。该系列电路采用PFM调制技术,实现精确的恒压/恒流(CV/CC)控制,效率和待机功耗满足DOE Level 6能效标准,广泛适用于手机充电器、小功率适配器及其他便携式设备充电器。SDH859XAS系列电路内置了高压MOS管,使用了自有的专利技术来实现高压启动功能,降低待机功耗以及提高转换

杭州士兰微电子公司近期推出了基于自有知识产权的AC-DC原边控制开关电源电路新品————SDH859XAS系列。该系列电路采用PFM调制技术,实现精确的恒压/恒流(CV/CC)控制,效率和待机功耗满足DOE Level 6能效标准,广泛适用于手机充电器、小功率适配器及其他便携式设备充电器。SDH859XAS系列电路内置了高压MOS管,使用了自有的专利技术来实现高压启动功能,降低待机功耗以及提高转换效率。该系列电路具有外部可调的线损补偿和内置的峰值电流补偿等功能,可以确保精准的恒压/恒流(CV/CC)性能。该系列电路在确保待机功耗满足DOE Level 6能效标准的前提下,具有极佳的动态响应性能。此外,电路内部集成了VCC欠压/过压保护、输出短路保护、输出过压保护、过温保护、外部元器件开/短路保护等多重保护功能,以保证电路在整机生产和应用时的安全性和可靠性,延长其使用寿命。SDH859XAS系列电路采用PSR反馈控制技术,无需外部光耦和431器件,并且环路补偿电容内置,极大的简化了外围,仅需极少的外围元器件即可构成完整的电源系统,大幅节省了系统耗电并缩小了电路板体积,有利于用户精简设计布局,降低开发和制造成本。同时,电路采用SOP7贴片封装形式,可以满足最高5V/2.4A的输出功率的小型化应用。该系列电路的具体参数如下表示:电路型号 结构 最大功率/电流 MOSFET(1) 待机功耗 封装
电路型号 结构 最大功率/电流 MOSFET(1) 待机功耗 封装
SDH8592AS 隔离反激PSR 5W5V/1A 650V/7.2Ω 40mW SOP7
SDH8593AS 隔离反激PSR 7.5W5V/1.5A 600V/5Ω 50mW SOP7
SDH8594AS 隔离反激PSR 10W5V/2A 600V/2.8Ω 60mW SOP7
SDH8595AS 隔离反激PSR 12W5V/2.4A 600V/1.8Ω 60mW SOP7
此外,该系列电路基于士兰微电子自行研发的0.8微米BiCMOS工艺制程设计及制造,工作电压范围宽,管脚ESD能力强,具有高可靠性。小型充电设备今后的发展趋势是更低的低待机功耗和更高的能量转换效率,士兰微电子将持续在该领域投入研发力量,不断推出新品。
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
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