RON较现有产品降低了30%，反向恢复时间为现有产品的三分之一

东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO: 6502)推出了基于第四代600V系统超级结(super junction)MOSFET“DTMOSIV”系列的高速二极管。新系列采用最新的单外延工艺打造，其每单位面积导通电阻(RON?A)较现有产品降低了约30%(注1)，处于业界领先水平。(注2)另外，高速寄生二极管的反向恢复时间约为现有产品的三分之一(注3)，降低了损耗并有助于提高功效。

(注1) 与此前的“DTMOSIII”系列比较。东芝数据。
(注2) 截至2013年4月2日。东芝数据。
(注3) 与现有的“TK16A60W”产品比较。截至2013年4月3日。东芝数据。

应用
开关电源，微逆变器，适配器和光伏逆变器

主要特性
1. RON?A较现有产品（DTMOSIII系列）降低了30%。
2. 高速寄生二极管的反向恢复时间约为现有产品的三分之一。
3. 采用单外延工艺打造，确保高温时的导通电阻和反向恢复时间只会小幅增加。
4. 宽广的导通电阻范围（0.65-0.074Ω）
5. 多种封装