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摘要:英特尔公司技术与制造事业部高级院士制程架构与集成总监马博(Mark T.Bohr),日前接受SemiMD的采访,关于英特尔的Tri-Gate(三栅工艺),以及未来SoC设计及制造的走向。KINAMKIM(http://weibo、com/1886211194)亦对此文有所贡献。SemiMD:三栅工艺是否可以用在英特尔的其他SoC中?Bohr:对,该项技术是可以广泛满足所有产品的需求,包括高性能处理
英特尔公司技术与制造事业部高级院士制程架构与集成总监马博(Mark T.Bohr),日前接受SemiMD的采访,关于英特尔的Tri-Gate(三栅工艺),以及未来SoC设计及制造的走向。
KINAMKIM(http://weibo、com/1886211194)亦对此文有所贡献。

SemiMD:三栅工艺是否可以用在英特尔的其他SoC中?
Bohr:对,该项技术是可以广泛满足所有产品的需求,包括高性能处理器以及低功耗SoC两方面的产品。
SemiMD:英特尔一直在试图减少制造成本,能否详细说明下?
玻尔:过去,英特尔一直在试图降低掩膜步骤的花费,我们一直秉承一个原则,就是用最小的掩膜步骤提供最佳密度及最优的性能。但随着工艺越来越进步,这项工作也越来越困难,在22nm时,我们要不就增加互联层已满足处理器的高性能,要不就采用更多的两次曝光层以满足越来越小的间距和复杂的设计规则。但我们仍然对于价格非常敏感,我确信的是从高性能到低功耗的处理器不会采用同样数量的互联层。
SemiMD:英特尔还会考虑2.5D或3D堆叠封装吗?
Bohr:当然,我们研究TSV及3D封装有一段时间了,堆叠封装不仅可以优化芯片中的晶体管布局。
SemiMD:那么Wide I/O呢?
Bohr:这也是其中原因之一,采用Wide I/O内存接口可以拥有更高的内存带宽,更好的能效,但是手持设备对于成本是很敏感的。现在我们不采用TSV或者3D堆叠封装也是有成本问题,所以商用化也许还要等上一阵。
SemiMD:具体是哪里成本上升了?
Bohr:要将wafer钻孔并且打薄堆叠,这些步骤都会增加制造成本。
SemiMD:仍然会采用体硅CMOS工艺吗?
Bohr:我们的三栅工艺还是会选择体硅,当然不排除在在SOI上使用Tri-Gate或者FinFET,我认为体硅更划算一些,但是接下来的五年中,其他公司也许会采用SOI的FinFETs工艺。
SemiMD:新的沟道材料的如何?有无考虑铟镓砷及锗等。
玻尔:英特尔一直在研究及发表论文,每年我们都会出席IEDM上关于离子注入的会议。三五族离子注入可以使器件电压由0.7V降至0.5V。实际上我们一直在尝试新材料及新架构来降低芯片电压及功耗。
SemiMD:你们对EUV及eBeam的观点是什么?
Bohr:可能不会出现在14nm制程上,但我们希望以后会使用。一直以来,英特尔始终愿意尝试各种光刻,这样在性能和价格等方面,我们也可以有多种选择及考量。我们一方面探讨采用EUV技术,另外也研究浸入式和双重曝光技术,这样当EUV还无法商用之时,我们仍然可以采用其他技术。
SemiMD:主要原因是?
Bohr:目前,浸入式光刻要比EUV更具成本优势。
SemiMD:未来芯片会是什么样子?是密密麻麻的平面,还是完全不一样的?
Bohr:首先,芯片越来越异构化了。如果回到10或20年前,芯片的结构都一样,都是由CMOS,NMOS或者PMOS组成,当时的CMOS工艺可同时适合内存及逻辑,唯一不同的也许是掺杂不同。而未来,逻辑、存储或者模拟芯片将采用不同的材料,不同的堆叠方式以及不同的晶体管结构,也许会在同一颗芯片或者采用堆叠方式的异构集成。
SemMD:有一种声音,是Intel现在花大力气进军SoC世界,这个英特尔很少涉足的领域。
Bohr:实际上,主流微处理器已经和SoC芯片类似了,虽然看起来和手机用的芯片不太一样,但如果你用Sandy Bridge与十年前只有逻辑和SRAM的芯片相比,集成了逻辑控制器,显卡,模拟以及锁相环的Sandy Bridge已经算是一个SoC了。当然,如果要进军智能手机用SoC市场,还要有更完整的功能,这是英特尔和业界都在做的,而不管是SoC还是3D堆叠。
SemiMD:英特尔是打算为智能手机提供整个方案还是只提供部分功能?
Bohr:技术的目标是尽可能多的功能集成以及尽可能小的功耗,从商业角度来说,一个集成更多的公司将会比只提供部分功能的公司要好的多。
SemiMD:但你不可能自己开发出所有产品,你需要合作伙伴。
Bohr:你是打算自己设计并生产还是从合作伙伴及业界得到更多的选择,这是一个权衡。你可以不自己制作整套方案,但你一定要做方案中最重要的。
SemiMD:这对于英特尔来说,是个庞大的市场。
Bohr:英特尔正在改变自己,我们更多的进入SoC市场,这是完全不一样的市场,技术不同、市场不同,我们需要把这些分散的东西重新聚集在一起。
SemiMD:英特尔是否有能力来自主定义芯片技术的发展?
Bohr:是的,作为设计制造整合商,INTEL有能力去定义芯片的任何一部分,并把他们按照设计的理念集成在一起。
SemiMD:这是否意味着英特尔现在仍然追随者摩尔定律?
玻尔:现在,使用3D堆叠技术可以满足摩尔定律,并且使用3D堆叠,你不必对整个芯片都采用最前沿的技术,而是对系统中最合适的部分使用最合适的工艺。
SemiMD:目前大多数SoC开发者谈论更多的是软件内容,收购风河是不是表明Intel已开始重视嵌入式软件发展?
Bohr:我不是软件专家,我只想说英特尔是个很大的软件公司,在收购风河之前,我们已经是业界顶级了,而风河只是一次简单的收购。
SemiMD:现在是在一起工作了吗?
Bohr:现在已经有了很多的合作,但仅仅是为固定核开发是不够的,SoC电路也需要针对软件进行优化。
| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |