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摘要:韩国海力士半导体预估,动态随机存取记忆体(DRAM)晶片市场将在第四季维持强劲,并指出合约价格可能在11月进一步扬升,12月时趋稳。海力士公司主管在投资人电话会议中称,由于产业供应增长有限,2010年料出现DRAM短缺。他们表示,低耗能的高速DDR3晶片将在明年第一季成为DRAM市场的主流。
韩国海力士半导体预估,动态随机存取记忆体(DRAM)晶片市场将在第四季维持强劲,并指出合约价格可能在11月进一步扬升,12月时趋稳。
海力士公司主管在投资人电话会议中称,由于产业供应增长有限,2010年料出现DRAM短缺。
他们表示,低耗能的高速DDR3晶片将在明年第一季成为DRAM市场的主流。
| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |