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海力士预期Q4 DRAM价格上扬 明年市场趋紧

来源: 作者:华仔

标签:

摘要:韩国海力士半导体预估,动态随机存取记忆体(DRAM)晶片市场将在第四季维持强劲,并指出合约价格可能在11月进一步扬升,12月时趋稳。海力士公司主管在投资人电话会议中称,由于产业供应增长有限,2010年料出现DRAM短缺。他们表示,低耗能的高速DDR3晶片将在明年第一季成为DRAM市场的主流。

韩国海力士半导体预估,动态随机存取记忆体(DRAM)晶片市场将在第四季维持强劲,并指出合约价格可能在11月进一步扬升,12月时趋稳。

海力士公司主管在投资人电话会议中称,由于产业供应增长有限,2010年料出现DRAM短缺。

他们表示,低耗能的高速DDR3晶片将在明年第一季成为DRAM市场的主流。

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
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