Intel信息技术峰会，美国旧金山——2009秋季Intel信息技术峰会于9月22日至24日在美国旧金山举行。下面是来自Intel的高级副总裁兼技术与制造事业部总经理Bob Baker的讲话，作为第一天主题演讲的主要内容及新闻亮点，他的话语一经发表就在广大技术爱好者中引起了强烈的反响。

演讲主题：“引领硅技术创新”（Silicon Leadership – Delivering Innovation）

? 全球第一个可工作的22纳米测试电路：Intel不懈努力寻求延续摩尔定律，让最终用户受益。 Intel公司发布了半导体制程技术中的又一个新突破，在单个芯片上整合更多的特性和更高的性能。

这就是关于全球第一个可工作的22纳米测试电路的演示。两年前Intel展示了基于前一代32纳米技术可工作的测试电路，而本次峰会则标志着第三代高k金属栅极晶体管的诞生。最新发布的22纳米技术证明了摩尔定律将继续有效，并引领我们前进。

- 使用 SRAM 作为测试平台，在处理器和其他逻辑芯片使用该制程技术之前证明其技术性能、工艺良率和芯片可靠性。

- Intel 22nm技术现在处于全速发展阶段，按既定步调将“Tick-tock模式”推进到下一代。

- 该22纳米测试电路包括用于22nm微处理器的SRAM存储器和逻辑电路。

- 在 364兆位阵列中，有单位面积为0.108平方微米和0.092平方微米的SRAM单元在工作。0.108平方微米的单元为低电压操作而优化；而 0.092平方微米的单元为高密度而优化，而且是迄今所知电路中能工作的最小的SRAM单元。该测试芯片在指甲盖大小的面积上整合了29亿个晶体管，密度大约是之前32纳米芯片的两倍。

- 22纳米技术延续了摩尔定律：晶体管更小，每个晶体管能效（性能/每瓦）更高、成本更低。

? 高k金属栅极技术风靡世界，出货量超过2亿颗：Intel从2007年第4季度开始出货采用高k金属栅极晶体管的CPU，目前仍是唯一一家具备此能力的公司。目前，采用高k金属栅极晶体管的45纳米CPU出货量已将超过2亿颗。Intel的32纳米CPU制程技术已经通过认证，而Westmere CPU晶圆已经进入工厂生产线，计划于第四季度向市场推出。Intel的32纳米技术采用第二代高k金属栅极晶体管，提高了性能并减少了漏电。

? 研发新动向 – 麻省理工学院的特邀嘉宾：Jesus Del Alamo教授来自麻省理工学院电气工程系，他在本次峰会上探讨了化合物半导体的前景，特别是用于未来逻辑制程的所谓III-V材料。他指出，基于III-V材料的晶体管速度，远超过目前的硅晶体管，而工作电压只有目前的一半（具有大幅降低能耗的潜力）。虽然因面临重大挑战而稍显谨慎，但他注意到，全球越来越多的人在解决这些问题，并且已经取得了很快的进展。

? 面向片上系统（SoC）的32纳米技术：Intel首次开发了全功能的SoC制程技术，以作为CPU专用技术的补充。该版本为手机、移动互联网设备（MID）和嵌入式产品等应用提供了一系列丰富的功能；它还提供这些市场所需的更广泛的性能与能耗选择。

? 优化NAND平台：IntelSSD固态硬盘在现有的平台和软件上具有强大的性能。Intel高级院士兼Intel存储技术部门总监Rick Coulson跟大家探讨了Intel在未来固态硬盘改进以及SSD和平台的共同优化上的研究方向，力图在更低成本、更低功耗的基础上达到更好的性能。

? 制造能力：Intel已经大幅改进了供应链，能够积极、快速地响应客户变更订单的请求——响应速度提高了300%。制造周期减少了62%。仅仅在过去的12个月内，从客户下订单到交货的时间缩短了25%。