研究机构集邦科技(DRAMeXchange)针对NAND Flash产业发表最新研究报告指出，估计三星(Samsung)今年稳居全球市占率龙头，而海力士(Hynix)因为大幅减产，市占率恐将下滑至第五名。

集邦科技指出，根据各NAND Flash供货商目前的制程技术、产能、营运状况分析，三星因为拥有较大产能和制程持续转往42nm及3xnm，预期今年市占率40%以上居冠，日本东芝(Toshiba)与美国SanDisk联盟的产能利用率略降，但制程技术也将转往43nm及32nm，预期东芝今年的市占率约在30%以上居次。

集邦科技表示，市占率第三和第四名预期为美国的美光(Micron)和英特尔(Intel)，由于制程技术大量地转向34nm，预计这两家公司今年的市占率提升至10%以上，而去年市占率第三的海力士，则因为去年大幅减产8寸产能，且今年的制程技术仍以4xnm为主，因此估计市占率预期会在10%，排名下滑至第五名。

由于去年NAND Flash面临供过于求，价格下滑的窘境，厂商纷纷宣布淘汰部份8寸产能，暂缓扩充12寸厂，或进行年度的岁修，集邦科技表示，目前各厂商均加速淘汰8寸厂产能，在12寸厂方面，三星暂无增产计划，预计东芝及SanDisk阵营也维持保守态度。

英特尔和美光两家公司合资成立的IM Flash Technologies(IMFT)方面，集邦科技估计，今年维持12寸厂产能不变，制程技术升级可望使产出成长，IMFT在新加坡的12寸厂将延至2010年再决定是否运作，海力士今年只有少量12寸厂产能生产高容量MLC产品，因为近期财务资金较吃紧，目前还没有计划新增晶圆产能。

再从营运方面分析，集邦科技表示，由于经济规模优势，三星的生产成本比同业更具竞争力，并规划增加更多电子系统厂的客户，以消化产能；东芝及SanDisk合资的总晶圆投片量略小于三星的水准，因此获利能力略低于三星。

IMFT的合资晶圆投片量虽然在海力士减产后，今年可望成为第三大阵营，但集邦科技表示，IMFT规模经济还没赶上前两大业者，因此今年将加速进入34nm制程，来改善成本优势与获利，未来则以提高计算机系统厂商的应用为方向。

海力士在生产高容量产品的成本上较不具竞争力，因此去年下半年已大幅减产8寸产能，以降低损失，由于产出量已经缩小，未来将会以寻求系统产品及利基市场的应用为主。

NAND厂商排名预测