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摘要:图1所示为用两个TTL门构成的施密特触发器电路。图中 G1为与非门,G2为反相器,vⅠ通过电阻R1和R2来控制门的状态。因为R1R2值不能取很大,因此串接二极管D,防止vO=VOH时,G2的负载电流过大。图1 两级TTL门构成的施密特触发器当输入vⅠ=0时,门G1截止,vO=VOH;门G2导通,输出vO=VOL。当vⅠ逐步上升,使二极管D导通,则:式中,VD为二极管D导通压降,VOL≈0.3V≈0
图1所示为用两个TTL门构成的施密特触发器电路。图中 G1为与非门,G2为反相器,vⅠ通过电阻R1和R2来控制门的状态。因为R1R2值不能取很大,因此串接二极管D,防止vO=VOH时,G2的负载电流过大。
图1 两级TTL门构成的施密特触发器当输入vⅠ=0时,门G1截止,vO=VOH;门G2导通,输出vO=VOL。当vⅠ逐步上升,使二极管D导通,则:
式中,VD为二极管D导通压降,VOL≈0.3V≈0V.当v1上升到Vth时,由于G1另一输入端v1'仍低于Vth,电路状态不变。当vⅠ逐步上升至使v1'≥Vth(Vth为TTL门阈值电平)时,门G1将由截止转为导通;门G2由导通转为截止,vO=VOH,触发器发生一次翻转。此时vⅠ为上限触发电平,如果忽略v1'=Vth时G1的输入电流,则可得到
故得
只要输入vⅠ>VT+,触发器就处于输出vO=VOH的稳定状态。
当输入vⅠ逐步下降时,只要vⅠ≤Vth,门G1将由导通转为截止,vO=VOH;门G2由截止转为导通,vO=VOL,触发器再次发生翻转,此时vⅠ为下限触发电平VT-=Vth,因此,电路的回差电压
调整电阻R1和R2得分压值,可以改变回差大小。
上一篇:数制及其转换 -解决方案-
| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |