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摘要:双栅场效应管(DGFET)双栅场效应管T可用来构成可控增益放大器,输入信号加在G1上,G2交流接地,改变加在G2上的偏压,就可控制放大器的增益。图4-5所示是双栅场效应管4DO1的引脚分布图。双栅场效应管多用于可控增益放大器和高频电子线路中。
双栅场效应管(DG FET)
双栅场效应管T可用来构成可控增益放大器,输入信号加在G1 上, G2交流接地,改变加在G2上的偏压,就可控制放大器的增益。图4-5 所示是双栅场效应管4DO1的引脚分布图。双栅场效应管多用于可控增益放大器和高频电子线路中。

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| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |