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摘要：CC10型超高频瓷介电容器CC10型超高频硅介电容器主要用于高频电路中，频率可达到OMHz。其外形结构分a、b两种形式，如图4-73所示，主要特性参数见表4-113。
CC10型超高频硅介电容器主要用于高频电路中，频率可达到OMHz。其外形结构分a 、b两种形式，如图4-73 所示，主要特性参数见表4-113 。
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| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ￥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ￥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ￥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ￥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ￥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ￥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ￥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ￥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ￥9.67 |