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摘要:一、RC电路充、放电过程仿真及时间常数的测定 1、按图5-1给定参数绘制仿真 ,并用信号发生器输出方波(幅值Amplitude=2V、偏移Offset=2V、频率Frequency=1KHz、占空比Duty Cycle=50%)作为激励电压。调整信号发生器和示波器,使之处于工作状态。在示波器上读出的时间常数τ值。 图5-1 R=10KΩ、C=3300pF时
1、按图5-1给定参数绘制仿真 ,并用信号发生器输出方波(幅值Amplitude=2V、偏移Offset=2V、频率Frequency=1KHz、占空比Duty Cycle=50%)作为激励电压。调整信号发生器和示波器,使之处于工作状态。在示波器上读出的时间常数τ值。

图5-1 R=10KΩ、C=3300pF时的仿真波形
2、改变R、C的参数,使R=10KΩ、C=0.01μF,如图5-2所示。

图5-2R=10KΩ、C=0.01μF时的仿真波形
3、使用参数扫描分析(Parameter Sweep Analysis)同时观察上述两种情况
按图5-3在【Simulate】仿真菜单中的选择分析方法(Analysis),单击参数扫描分析项(Parameter Sweep...),打开如图5-4的对话框,在各选项中进行设置后,按仿真按钮,出现图5-5所示的结果。

图5-3仿真菜单

图5-4 参数扫描分析对话框

图5-5 RC电路充、放电过程的仿真
二、积分电路的仿真
按图5-6绘制仿真 ,设定参数,激励信号为方波(Amplitude=2V、Offset=2V、Frequency=1KHz、Duty Cycle=50%),用示波器观察电容电压
波形变化的情况。继续增大R或C值,或减小信号发生器的频率,定性地观察对响应
的影响。

图5-6积分电路的仿真
三、微分电路的仿真
按图5-7绘制仿真 ,设定合适的参数进行仿真,激励信号为方波(Amplitude=2V、Offset=2V、Frequency=1KHz、Duty Cycle=50%),用示波器观察电阻电压
波形变化的情况。继续减小R或C值,定性地观察对响应
的影响。

图5-7微分电路的仿真
四、耦合电路的仿真
按图5-8绘制仿真 ,设定合适的参数并进行仿真,激励信号为方波(Amplitude=2V、Offset=2V、Frequency=1KHz、Duty Cycle=50%),用示波器观察电阻电压
波形变化的情况。继续增大R或C值,定性地观察对响应
的影响。

图5-8耦合电路的仿真
下一篇:2n5551参数封装以及管脚定义
| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |