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用非传统MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

来源:-- 作者:-- 浏览:354

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摘要: 三十多年来,本本体硅(bulk silicon)MSOFET工艺一直是晶体管器件所采用的主要CMOS工艺。我们非常热衷于从缩小晶体管来提高密度和性能。在相同的成本上具有更快的速度、更大的内存,是一件多么美妙的事情!越来越多的在工艺上的进步目前已能使完好的特征尺寸升级到90nm技术节点。然而,在深层纳米尺寸满足对漏电和性能的需要却迅速地把传统的晶体管逼入困境。 要使性能得到继续的升级,人们

三十多年来,本本体硅(bulk silicon)MSOFET工艺一直是晶体管器件所采用的主要CMOS工艺。我们非常热衷于从缩小晶体管来提高密度和性能。在相同的成本上具有更快的速度、更大的内存,是一件多么美妙的事情!越来越多的在工艺上的进步目前已能使完好的特征尺寸升级到90nm技术节点。然而,在深层纳米尺寸满足对漏电和性能的需要却迅速地把传统的晶体管逼入困境。

要使性能得到继续的升级,人们正在采用新型材料和结构来改善传统的CMOS工艺。在超过32nm及以上的技术上,面对着功率性能前所未有的挑战,晶体管可能通过一系列的跳跃式创新得到发展吗?尽管答案仍在探索之中,从金属/高K栅堆叠、新型应变硅到多栅器件等等新型材料和器件结构竞相发起这场革命。

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
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