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2N5457

浏览次数:722次

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2N5457中文资料规格参数

2N5457概述

类别:分离式半导体产品
家庭:JFET(结点场效应
系列:-
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1mA @ 15V
漏极至源极电压(Vdss):-
漏极电流 (Id) - 最大:-
FET 型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):25V
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:500mV @ 10nA
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :7pF @ 15V
电阻 - RDS(开):-
安装类型:通孔
包装:散装
封装/外壳:TO-92-3(标准主体),TO-226
功率 - 最大:625mW
供应商设备封装:*
其它名称:2N5457FSECG457

2N5457数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
Central Semiconductor
PDF
N-Channel General Purpose AmplifierN沟道通用放大器
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
9000
NS/美国国半
08+
TO-92
永亨现货库存
200
NS/美国国半
93+
TO-92
原装现货
深圳
43638
ONSEMI/安森美
原装正品热卖
15730
FAIRCHILD/仙童
16+
TO-92
全新现货-优势特价
深圳
30000
FAIRCHILD/仙童
24+
TO-92
深圳
深圳

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