晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:115mA
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):7.5ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:2.1V
功耗:0.2W
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:72
功率, Pd:0.2W
外宽:3.05mm
外部深度:2.5mm
外部长度/高度:1.12mm
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
最小正向跨导 Gfs:80mA/V
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:0.115A
电流, Idm 脉冲:0.8A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V