类别：半导体模块
家庭：MOSFETs
系列：POWER MOS V®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：150 毫欧 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：44A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：285nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：17650pF @ 25V
功率 - 最大：700W
安装类型：底座安装
封装/外壳：SOT-227, miniBLOC
包装：管件
供应商设备封装：ISOTOP®