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BC858ALT1

浏览次数:339次

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BC858ALT1中文资料规格参数

BC858ALT1概述

类型:PNP
集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):30
集电极最大电流Ic(max)(mA):100
直流电流增益hFE最小值(dB):125
直流电流增益hFE最大值(dB):250
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100
封装/温度(℃):SOT23,(TO236AB)/-55~150

BC858ALT1数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
General Purpose Transistors(PNP Silicon)通用晶体管( PNP硅)
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
10000
ONSEMI/安森美
26+
SOT23
VIP 认证只做原装正品
深圳
19200
ONSEMI/安森美
SOT-23
保证进口原装上传就有现货
21000
ONSEMI/安森美
19+
SOT-23
15000
ONSEMI/安森美
2024+PB
SOT-23
大量供货
深圳
34980
ONSEMI/安森美
SOT-23-3

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