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BD536

浏览次数:604次

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BD536中文资料规格参数

BD536概述

类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):8A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):800mV @ 600mA, 6A
电流 - 集电极截止(最大):100µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):25 @ 2A, 2V
功率 - 最大:50W
频率 - 转换:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 (直引线)
包装:管件
供应商设备封装:*
其它名称:497-7173-5BD536-ND

BD536数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
STMICROELECTRONICS
PDF
Silicon PNP Power Transistors硅PNP功率晶体管
PDF
Medium Power Linear and Switching Applications中功率线性和开关应用
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
32000
ST/意法
24+
TO-220
全新现货
4580
ST/意法
21+
TO-220
柜台部分现货特价主营二三极管桥堆模块
15000
FAIRCHILD/仙童
22+
TO-220
台产原装主营MOS管可控硅肖特基全系列
深圳
688888
FAIRCHILD/仙童
25+PB
TO-220
原装现货,长期稳定供货,量大来电洽谈
深圳
10000
ST/意法
03+
TO-220
原装现货
深圳

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