类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：OptiMOS™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：30 毫欧 @ 7.2A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5.7A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 8µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：4.6nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：600pF @ 15V
功率 - 最大：1.56W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DSO-8
包装：剪切带 (CT)
供应商设备封装：DSO-8
其它名称：BSO300N03SINCT