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BUV21G

浏览次数:277次

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BUV21G最新采购批发价格

型号 品牌 参考价格
ONSEMI/安森美
¥86.13

BUV21G中文资料规格参数

BUV21G概述

类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:SWITCHMODE™
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):40A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):200V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 3A, 25A
电流 - 集电极截止(最大):3mA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):20 @ 12A, 2V
功率 - 最大:250W
频率 - 转换:8MHz
安装类型:底座安装
封装/外壳:TO-204,TO-3
包装:托盘
供应商设备封装:TO-3

BUV21G数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
ON Semiconductor
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
99
ONSEMI/安森美
1826+
TO-3
F责任销售深圳现货特价样品可出量多可发货
深圳
4795
ONSEMI/安森美
2018+
原装正品现货可出样
8000
ONSEMI/安森美
25+
N/A
原装正品接受排单定货
深圳
3000
ONSEMI/安森美
21+
NA
芯创晔力求最低支持
6926
ONSEMI/安森美
25+
TO-204(TO-3)
原装进口订货7-10天

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供应商 型号 品牌 批号 封装 交易说明
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