类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：SIPMOS®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：400 毫欧 @ 6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：9.5A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：-
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：530pF @ 25V
功率 - 最大：75W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220AB
包装：管件
供应商设备封装：TO-220AB
其它名称：BUZ32-NDBUZ32INBUZ32XBUZ32XKSP000011345