类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：240 毫欧 @ 1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.1A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：5.5nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：150pF @ 10V
功率 - 最大：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-59-3，SMT3，SOT-346，TO-236
包装：剪切带 (CT)
供应商设备封装：*
其它名称：DMN100DMN100CTDMN100CT-NDDMN100DICT