EMZ1T2R概述
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 阵列
系列:-
晶体管类型:NPN, PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):150mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):120 @ 1mA, 6V
功率 - 最大:150mW
频率 - 转换:180MHz, 140MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:EMT6
包装:剪切带 (CT)
供应商设备封装:EMT6
其它名称:EMZ1T2RCT