类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.1 欧姆 @ 500mA, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：650mA
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：1.5nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：63pF @ 10V
功率 - 最大：480mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-70-6，SC-88，SOT-363
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*