类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PowerTrench®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.5 毫欧 @ 20.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：20A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：69nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：3300pF @ 15V
功率 - 最大：1.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽），8-eSOIC. 8-HSOIC
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*
其它名称：FDS7288N3TRFDS7288N3_NLFDS7288N3_NLTRFDS7288N3_NLTR-ND

额定电压(DC)：30.0 V

额定电流：20.5 A

漏源极电阻：4.50 mΩ

极性：N-Channel

耗散功率：3W (Ta)

漏源极电压(Vds)：30 V

漏源击穿电压：30.0 V

栅源击穿电压：±20.0 V

连续漏极电流(Ids)：20.0 A

上升时间：11.0 ns

输入电容(Ciss)：3300pF @15V(Vds)

额定功率(Max)：1.5 W

耗散功率(Max)：3W (Ta)

引脚数：8

工作温度：-55℃ ~ 150℃ (TJ)