类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PowerTrench®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：14 毫欧 @ 35A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：35A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：18nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：845pF @ 13V
功率 - 最大：39W
安装类型：通孔
封装/外壳：IPak, TO-251, DPak, VPak (3 直引线 + 接片)
包装：管件
供应商设备封装：*