制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 模块
配置: Dual
集电极—射极击穿电压: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2.2 V
集电极最大连续电流 Ic: 100 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA
功率耗散: 400 W
封装 / 箱体: 7PM-GA
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 40 C
封装: Bulk
Part # Aliases: FMG2G100US60NL