ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB27P06TM, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor

增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。

针脚数：3

漏源极电阻：0.055 Ω

耗散功率：3.75 W

阈值电压：4 V

输入电容：1100 pF

漏源极电压(Vds)：60 V

上升时间：185 ns

输入电容(Ciss)：1100pF @25V(Vds)

额定功率(Max)：3.75 W

下降时间：90 ns

工作温度(Max)：175 ℃

工作温度(Min)：-55 ℃

耗散功率(Max)：3750 mW

安装方式：Surface Mount

引脚数：3

封装：TO-263-3

长度：10.67 mm

宽度：9.65 mm

高度：4.83 mm