FSB660概述
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):350mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 500mA, 2V
功率 - 最大:500mW
频率 - 转换:75MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:3-SSOT, SuperSOT-3
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:*