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首页> IC百科 > FVP12030IM3LEG1

FVP12030IM3LEG1

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FVP12030IM3LEG1中文资料规格参数

FVP12030IM3LEG1概述

制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
集电极—射极击穿电压: 300 V
集电极—射极饱和电压: 1.4 V
栅极—射极漏泄电流: 250 uA
功率耗散: 117 W
封装: Tray

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