GD32F103VET6 器件是基于 Arm? 的 32 位通用微控制器Cortex?-M3 RISC 内核在处理能力方面具有最佳比率，降低了功耗消费和外设。 Cortex?-M3 是下一代处理器内核与嵌套向量中断控制器 (NVIC)、SysTick 计时器和高级调试支持。
GD32F103VET6 器件包含 Arm? Cortex?-M3 32 位处理器内核，可运行在 108 MHz 频率下，闪存访问零等待状态以获得最大效率。它提供高达 3 MB 的片上闪存和高达 96 KB 的 SRAM 存储器。一个广泛的连接到两条 APB 总线的一系列增强型 I/O 和外围设备。设备提供最多三个 12 位 ADC，最多两个 12 位 DAC，最多十个通用 16 位定时器，两个基本定时器加上两个PWM高级定时器，以及标准和高级通信接口：多达三个 SPI、两个 I2C、三个 USART、两个 UART、两个 I2S、一个 USBD、一个 CAN 和一个数据输出。

属性	参数值
额外特性	I2S
UART/USART	5
SPI	3
USB Device	1
PWM	2
USB Host/OTG	1
LCD	MOTOROLA 6800 AND INTEL 8080 TYPE LCD DIRECTLY
I2C（SMBUS/PMBUS）	2
工作电压	2.6V ~ 3.6V
Ethernet	0
EEPROM 尺寸	0
CAN	1
A/D	16x12bit
D/A	2x12bit
CPU位数	32-Bit
CPU内核	ARM? Cortex?-M3
ROM尺寸	512KB
RAM大小	64KB
主频（MAX)	108MHz
ROM类型	FLASH
I/O 数	80

核心

• ARM@32位Cortex2M3 CPU 72MHz最大频率，1.25 dmip/MH(Dhrystone 2.1)

• 等待状态下的性能内存访问单周期乘法和硬件除法

内存

• 256至512千字节的闪存

• 高达64千字节的静态随机存取存储器

• 灵活的静态内存控制器，具有4个芯片选择。

• 支持紧凑型闪存、静态随机存取存储器， PSRAM、NOR和NAND存储器LCD并行接口、8080/6800模式

时钟、复位和电源管理

• 2.0至3.6 V应用电源和/Os

• POR、PDR和可编程电压检测(PVD)

• 4至16 MHz晶体振荡器

• 内部8 MHz工厂调整RC

• 内部40 kHz RC带校准

• 32kHz振荡器用于RTC带校准

低功耗

• 休眠、停止和待机模式

• VeAT电源用于RTC和备份寄存器3×12位、1 us A/D转换器(最多 转换范围:0至3.6V

• 三重采样和保持能力

• 温度传感器2x12位D/A转换器DMA:12通道DMA控制器

• 支持的外设:定时器、ADC、DAC、SDIO、PSs、SPIs、IPCs和USARTs

调试模式

• 串行线调试(SWD)和JTAG接口

• Cortex=M3嵌入式跟踪宏接口

最多112个快速l/O端口

• 51/80/112 /Os，可在16个外部中断矢量和几乎所有5 V上映射