INFINEON IRFR120NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.4 A, 100 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 V

N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon

Infineon 系列分立 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

额定功率：39 W

通道数：1

针脚数：3

漏源极电阻：0.21 Ω

极性：N-CH

耗散功率：48 W

阈值电压：4 V

漏源极电压(Vds)：100 V

漏源击穿电压：100 V

连续漏极电流(Ids)：9.4A

上升时间：23 ns

输入电容(Ciss)：330pF @25V(Vds)

额定功率(Max)：48 W

下降时间：23 ns

工作温度(Max)：175 ℃

工作温度(Min)：-55 ℃

耗散功率(Max)：48W (Tc)

安装方式：Surface Mount

引脚数：3

封装：TO-252-3

长度：6.5 mm

宽度：6.22 mm

高度：2.3 mm

工作温度：-55℃ ~ 175℃ (TJ)