类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：29 毫欧 @ 18A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：38A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：56nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1710pF @ 25V
功率 - 最大：110W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：D-Pak

TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.8V；

应用简介：

IRFR3518TRPBF-VB是一款N-Channel沟道MOSFET，适用于多种高功率电路和模块设计，特别是在需要高性能N-Channel MOSFET的应用中。

领域模块应用：

1. 电源模块：适用于高功率开关电源、电源逆变器等模块设计，能够提供高效的电能转换和稳定的电源输出。

2. 电机驱动模块：由于其高电流和低漏电压特性，可用于电机驱动和控制模块，提供可靠的电流输出和驱动性能，尤其在需要较高功率的应用中。

3. 电池保护模块：用于电池充放电管理电路，提供高效的电池管理和保护功能。

4. LED照明模块：在需要高亮度和高功率的LED照明系统中，IRFR3518TRPBF-VB可以用于开关电源设计，以实现高效的LED照明。

5. 功率放大模块：在需要N-Channel MOSFET的功率放大电路中，IRFR3518TRPBF-VB可用于实现高性能的功率放大。

请注意，以上是一些典型的应用场景，实际使用时需根据具体电路和系统要求进行选择和设计。在集成IRFR3518TRPBF-VB时，建议仔细阅读其数据手册以获取详细的电特性和操作信息。