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IXDD414YI

浏览次数:661次

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IXDD414YI中文资料规格参数

IXDD414YI概述

制造商: IXYS
产品种类: MOSFET 及电源驱动器 IC
类型: Low Side
上升时间: 29 ns
下降时间: 26 ns
电源电压(最大值): 35 V
电源电压(最小值): 4.5 V
电源电流: 3 mA
最大功率耗散: 12500 mW
最大工作温度: + 125 C
最小工作温度: - 55 C
封装 / 箱体: TO-263
封装: Tube
最大关闭延迟时间: 34 ns
最大开启延迟时间: 33 ns
安装风格: SMD/SMT
激励器数量: 1
输出端数量: 1
输出电流: 14 A (Typ)
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
5
IXYS/艾赛斯
20+
TO-220
原码翻新低价包上机
259
IXYS/艾赛斯
22+
TO-263
高品质翻新测好包上机
汕头
1506
IXYS/艾赛斯
24+
TO-263-5
原码包上机,主营管类全系列
汕头
3000
IXYS/艾赛斯
24+
TO-263
测试好现货优势最低价
2043
IXYS/艾赛斯
08+
TO263
高价回收此型号整单回收有货加VX

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供应商 型号 品牌 批号 封装 交易说明
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