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IXDD504D2

浏览次数:131次

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IXDD504D2中文资料规格参数

IXDD504D2概述

制造商: IXYS
类型: Low Side
上升时间: 16 ns
下降时间: 14 ns
传播延迟时间: 40 ns
电源电压(最大值): 30 V
电源电压(最小值): 4.5 V
电源电流: 20 mA
最大工作温度: + 125 C
最小工作温度: - 55 C
封装 / 箱体: DFN
封装: Box
安装风格: SMD/SMT
激励器数量: 2
输出端数量: 2
输出电流: 4 A (Typ)

IXDD504D2数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
4 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers with Enable for fast, controlled shutdown4安培双低侧MOSFET超快驱动器,启动快速,受控关闭
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
15000
IXYS/艾赛斯
14+
DFN-8
低至¥0.000百分百有货

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